Характеристики и описание
- Страна производительКитай
Основное применение: гравировка тонкопленочных солнечных батарей из аморфного кремния.
Тип лазера: инфракрасный полупроводниковый лазер с торцевой накачкой (длина волны 1064 нм) или полупроводниковый зеленый лазер с торцевой накачкой (длина волны 532 нм).
HL1407M-P1-IR25：инфракрасный лазер, 25 Вт.
HL1407M-P2/P3-GR8：зеленый лазер, 9 Вт.
- Ширина линий гравировки: 0.03 мм.
- Глубина гравировки: 0.001-0.1 мм.
Лазерный гравировальный станок для тонких оптических пленок Han s Laser HL1407M-P1-IR25, HL1407M-P2/P3-GR8
Под заказ
Цену уточняйте
Минск ∙
Доставка
Оплата и гарантии